著半導體元件的縮小，近年來，極紫外光(Extreme ultra violet, EUV)微影技術與其設備在半導體產業中的地位越來越重要。極紫外光微影技術與上一代浸潤式微影技術的曝光設備所使用的光源波長由193nm縮短到了13.5nm，在提升了解析度的同時卻有著極容易被外界環境吸收的缺點，故曝光機內的鏡片組由一系列的透鏡組改為一系列的反射鏡組構成，連帶使光罩以及防塵薄膜的設計也隨之改變。在這樣的背景之下，於去年(2023)年底時，比利時微電子研究中心 (imec) 宣布，將攜手日本化工及極紫外光 (EUV) 光罩防塵薄膜大廠三井化學合作推動奈米碳管防塵薄膜技術商業化，這兩家公司在防塵薄膜技術上是否有著互補的效益，亦或是因一方的技術方案較優而進行合作呢？
透過本次研討會的機會，與業界先進一同探討三井化學及比利時微電子中心對於EUV 防塵薄膜的相關專利佈局與分析。
活動名稱 : 三井化學/比利時微電子中心(IMEC) EUV防塵薄膜專利分析
主辦單位：世博科技顧問股份有限公司
內容大綱：
(1).時事分享
(2).EUV 防塵薄膜簡介
(3).三井化學及IMEC之EUV防塵薄膜相關專利書目分析
(4).三井化學及IMEC之EUV防塵薄膜相關專利技術布局分析
(5).三井化學及IMEC之EUV防塵薄膜相關專利技術脈絡分析
(6).小結及Q&A
活動時間：2024年08月16日 (週五) 15：00～16：00
活動地點：線上
