主要致力於半導體檢測技術及設備發展的日商Lasertec近年來以EUV( Extreme Ultraviolet, 極紫外光) 光罩檢測設備及技術博得各界關注。根據BNN Bloomberg的報導，Lasertec自去年年初以來，股價已成長了520%以上，且其更於今年獲得了由Intel頒發的2019年優秀供應商獎。與前代黃光微影製程的曝光設備，也就是DUV( Deep Ultraviolet, 深紫外光) 曝光機相比，EUV曝光機使用的曝光光源波長由前代的193nm縮短到了13.5nm，大幅度提升了EUV曝光機的解析度；但也因為EUV極易被外界環境所吸收的特性，曝光機內的鏡片組由一系列的透鏡改為一系列的反射鏡，光罩的型態也由原先的透射式(如圖一)改為反射式(如圖二)，使得原本的透射式光罩的製程以及檢測設備無法適用於EUV製程以及EUV光罩檢測：
反射式光罩藉由先在光罩基板上鋪設數層反射層形成空白光罩，並在空白光罩的反射層上鋪設帶有轉印圖案的吸收層而完成。在製作空白光罩反射層的過程中，可能有來自環境的微粒落於反射膜間，導致產出的光罩表面不平整，連帶影響位於反射層表面的吸收層，導致後續晶圓曝光後造成圖案缺陷。Lasertec正抓住了對於空白光罩反射層平整度及潔淨度要求的需求，於2017年首先發表了空白反射式光罩瑕疵檢測設備；其後更於2019年進一步的發表了可對印有圖案的反射式光罩進行檢測的設備。
筆者利用Patentcloud所提供的專利檢索工具進行檢索，截至2020/8/17日止，Lasertec共有694件專利(487個專利家族)，分布於14個專利局。依專利申請計數且法律狀態為有效中及申請中的專利排序，前三大專利申請國依序為日本213件、美國54件及中國30件，主要晶圓代工廠所在國家相關專利佈局較少(台灣5件、韓國12件)。
進一步分析發現，Lasertec有247件專利與光罩檢測有關，其中與EUV光罩檢測相關的專利共有55件專利。下圖四為Lasertec EUV光罩檢測專利的申請年分布，專利最早申請年為2006年，早於首台EUV曝光原型機推出的日期(2010年)，推測Lasertec於EUV曝光技術出現初期就開始對相關檢測設備及技術投入資源進行研發：
進一步分析Lasertec的EUV光罩檢測相關專利的技術分類，可以發現Lasertec大部分專利佈局於輔助檢測技術、缺陷偵測技術及照明光源技術三大技術領域。其中照明光源技術皆與EUV光相關，推測EUV曝光機用的光罩在檢測時也需要用到EUV光來檢測其缺陷，但因為EUV光集容易被外在環境吸收的特性，將導致檢測設備如EUV曝光機一般，較前代設備的設計更加複雜，連帶的提高了切入EUV光罩檢測設備及技術市場的門檻。
新技術的出現通常伴隨著新的供應鏈機會的出現，Lasertec便是一個例子。Lasertec在EUV曝光機發展的早期便投入於EUV光罩檢測技術的研究，在EUV曝光技術日趨成熟時給予公司帶來飛躍性的成長。但，以專利佈局的角度來看，Lasertec於EUV曝光機主要銷售國家(例如台灣或韓國)之專利佈局相對較少，建議Lasertec後續可以規劃在這些區域布局專利，以確保及延續其在EUV光罩檢測技術領域領先之地位及優勢。
